Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG
發(fā)布時間:2026-02-25 09:57:09 瀏覽:35
Onsemi NTTFS6H860NL是一款針對高效能電源管理應用優(yōu)化的N溝道功率MOSFET器件,特別適合空間受限的現(xiàn)代電子設備設計。其核心競爭力體現(xiàn)在將80V耐壓能力與極低導通電阻(最低16.5mΩ)集成于業(yè)界領先的3.3mm×3.3mm微型封裝中,為設計工程師提供了功率密度與能效的完美平衡方案。

關鍵規(guī)格參數(shù)
漏源擊穿電壓(V(BR)DSS):80V
連續(xù)漏極電流(ID):30A
最大導通電阻(RDS(on)):20 (@10V) / 26 (@4.5V)mΩ
最大柵源電壓(VGS):±20V
脈沖漏極電流(IDM):122A
工作溫度范圍:-55至+175°C
尺寸: 3.3×3.3mm(WDFN8)
功率耗散(最大值):3.1W(Ta),42W(Tc)
典型應用
電源轉(zhuǎn)換:DC-DC/AC-DC模塊
電機驅(qū)動:無人機/機器人控制器
快充設備:65W USB PD充電器
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換器模塊及碳化硅(SiC)產(chǎn)品,歡迎咨詢了解。
推薦資訊
DEI1198-TES-G是一款8通道并行分立數(shù)字接口集成電路(IC),專為航空電子系統(tǒng)設計,主要特性包括8個離散輸入通道、電流約為1 mA、雷電瞬態(tài)抗擾度高達1600 V、靈活的I/O接口、寬電源電壓3.3V ±%,模擬電源電壓12.0V至16.5V。該IC符合航空標準,支持TTL/CMOS兼容輸入和三態(tài)輸出,應用時需在每個輸入串聯(lián)3 kΩ電阻,可選增加TVS以提高抗擾度。
電壓比較器(簡稱為比較器)的功能模塊是相對比較兩個電流電壓的大小(輸出電壓的高電平或低電平用作表明兩個輸入電流電壓的大小關系)。電壓比較器能夠用在集成化運算放大器的組成中,還能夠用專用型的集成化電壓比較器。TI德州儀器高電壓比較器具備0.9V到36V的高壓比較器,響應時間快,性能強。
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