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Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG

發(fā)布時間:2026-02-25 09:57:09     瀏覽:35

  Onsemi NTTFS6H860NL是一款針對高效能電源管理應用優(yōu)化的N溝道功率MOSFET器件,特別適合空間受限的現(xiàn)代電子設備設計。其核心競爭力體現(xiàn)在將80V耐壓能力與極低導通電阻(最低16.5mΩ)集成于業(yè)界領先的3.3mm×3.3mm微型封裝中,為設計工程師提供了功率密度與能效的完美平衡方案。

Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG

  關鍵規(guī)格參數(shù)

  漏源擊穿電壓(V(BR)DSS):80V

  連續(xù)漏極電流(ID):30A

  最大導通電阻(RDS(on)):20 (@10V) / 26 (@4.5V)mΩ

  最大柵源電壓(VGS):±20V

  脈沖漏極電流(IDM):122A

  工作溫度范圍:-55至+175°C

  尺寸: 3.3×3.3mm(WDFN8)

  功率耗散(最大值):3.1W(Ta),42W(Tc)

  典型應用

  電源轉(zhuǎn)換:DC-DC/AC-DC模塊

  電機驅(qū)動:無人機/機器人控制器

  快充設備:65W USB PD充電器

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換器模塊及碳化硅(SiC)產(chǎn)品,歡迎咨詢了解。

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