Solitron Devices SD11710軍用級碳化硅MOSFET
發布時間:2024-01-29 08:56:45 瀏覽:2680
Solitron Devices推出的SD11710,是業界首款軍用級700V碳化硅 (SiC) N溝道功率MOSFET器件。
該SD11710采用極其堅固的氣密密封 TO-258 封裝,專為最苛刻的工業、航空航天和國防應用而設計。SD11710提供 RDS(開)16mΩ 和 50A 的連續漏極電流。也可根據要求提供 200°C 的工作溫度。

主要功能包括:
低電容和低柵極電荷
由于內部柵極電阻 (ESR) 低,開關速度快
在高結溫下穩定工作,TJ(max) = 175 °C
快速可靠的體二極管
卓越的雪崩堅固性
與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比,碳化硅具有出色的開關性能,且隨溫度的變化最小。由于能量損失和反向充電顯著降低,效率水平比硅更高,因此在打開和關閉階段需要的開關功率更高,所需的能量更少。結合高開關頻率,這意味著磁性元件更小,大大減輕了系統重量和尺寸。
堅固的封裝與高溫運行相結合,使該SD11710非常適合要求小尺寸、輕量和高效率的最苛刻的電源和電機控制應用。
該SD11710提供 COTS、TX、TXV 和空間級篩選。樣品有現貨供應。

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ARIZONA Capacitors W90系列額定電壓范圍為3kVDC至150kVDC,電容值最高可達2.000 μF,標準容差±10%;工作溫度范圍(G10外殼材料)按不同降額情況有所不同,全額定溫度時為 -55°C至60°C,30%降額時為 -55°C至85°C,50%降額時為 -55°C至105°C,75%降額時為 -55°C至125°C;絕緣電阻在25 - 50kΩ,1,000Hz下損耗因子小于0.6%,經過130%額定電壓1分鐘測試,生產流程符合ISO 9001:2015認證,符合MIL-STD-202測試標準,可按需符合ROHS標準。
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