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Semelab D2002UK射頻功率MOSFET晶體管

發布時間:2026-02-05 09:04:10     瀏覽:96

  D2002UK 是 Semelab(現隸屬于 TT Electronics) 推出的一款 N 溝道射頻功率 MOSFET(DMOS),主要用于 射頻功率放大與發射應用,適合中低功率、寬頻段的 RF 設計需求。

Semelab D2002UK射頻功率MOSFET晶體管

  主要參數概覽

  基本信息

  器件類型:射頻功率 MOSFET

  極性:N-Channel(增強型)

  品牌 / 廠商:Semelab / TT Electronics

  型號:D2002UK

  封裝形式:DP 陶瓷法蘭封裝

  安裝方式:螺釘固定,表貼/法蘭安裝

  電氣特性(典型值)

  漏極-源極擊穿電壓(VDS):約 65 V

  連續漏極電流(ID):約 2 A

  最大柵源電壓(VGS):±20 V

  柵極閾值電壓(VGS(th)):約 1 – 7 V

  射頻輸出功率:約 5 W(連續波 CW)

  功率增益:約 13 dB

  工作頻率范圍:DC ~ 1 GHz

  最大功耗:約 29 W

  熱學與機械特性

  結到殼熱阻(RθJC):約 6 °C/W

  工作溫度:最高可達約 150 °C(殼溫)

  典型尺寸:約 18.9 × 6.35 × 5.08 mm

  典型應用

  D2002UK 廣泛應用于中低功率射頻場景,包括但不限于:

  VHF / UHF 射頻功率放大器

  無線通信發射模塊

  工業射頻設備

  測試與儀表類 RF 放大單元

  產品特點總結

  覆蓋 DC–1GHz 的寬頻工作能力

  5W 級射頻輸出功率,適合驅動級或小功率末級

  陶瓷法蘭封裝,散熱性能好、可靠性高

  適合通信、工業及專業射頻應用

Semelab公司是一家專注于高可靠性半導體器件的制造商,提供功率半導體、RF MOSFET等產品,深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Semelab產品線,歡迎咨詢了解。

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