Semelab D2002UK射頻功率MOSFET晶體管
發布時間:2026-02-05 09:04:10 瀏覽:96
D2002UK 是 Semelab(現隸屬于 TT Electronics) 推出的一款 N 溝道射頻功率 MOSFET(DMOS),主要用于 射頻功率放大與發射應用,適合中低功率、寬頻段的 RF 設計需求。

主要參數概覽
基本信息
器件類型:射頻功率 MOSFET
極性:N-Channel(增強型)
品牌 / 廠商:Semelab / TT Electronics
型號:D2002UK
封裝形式:DP 陶瓷法蘭封裝
安裝方式:螺釘固定,表貼/法蘭安裝
電氣特性(典型值)
漏極-源極擊穿電壓(VDS):約 65 V
連續漏極電流(ID):約 2 A
最大柵源電壓(VGS):±20 V
柵極閾值電壓(VGS(th)):約 1 – 7 V
射頻輸出功率:約 5 W(連續波 CW)
功率增益:約 13 dB
工作頻率范圍:DC ~ 1 GHz
最大功耗:約 29 W
熱學與機械特性
結到殼熱阻(RθJC):約 6 °C/W
工作溫度:最高可達約 150 °C(殼溫)
典型尺寸:約 18.9 × 6.35 × 5.08 mm
典型應用
D2002UK 廣泛應用于中低功率射頻場景,包括但不限于:
VHF / UHF 射頻功率放大器
無線通信發射模塊
工業射頻設備
測試與儀表類 RF 放大單元
產品特點總結
覆蓋 DC–1GHz 的寬頻工作能力
5W 級射頻輸出功率,適合驅動級或小功率末級
陶瓷法蘭封裝,散熱性能好、可靠性高
適合通信、工業及專業射頻應用
Semelab公司是一家專注于高可靠性半導體器件的制造商,提供功率半導體、RF MOSFET等產品,深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Semelab產品線,歡迎咨詢了解。
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