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Onsemi安森美EliteSiC系列二極管、MOSFET及模塊的工業(yè)應(yīng)用

發(fā)布時間:2025-10-29 14:02:49     瀏覽:310

  安森美(onsemi)的EliteSiC系列是專為工業(yè)和能源應(yīng)用設(shè)計的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,涵蓋二極管、MOSFET、混合模塊和全SiC模塊。該系列憑借高效率、高功率密度、低損耗及高溫穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于光伏逆變器、電動汽車充電、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域,助力客戶優(yōu)化系統(tǒng)性能并降低總體成本。

  1、 EliteSiC Diodes(碳化硅二極管)

EliteSiC Diodes(碳化硅二極管)

  關(guān)鍵參數(shù)

  電壓等級:650V / 1200V / 1700V

  封裝類型:DPAK-3 / TO-252-LD / TO-247-3L等

  工作溫度:最高175°C(TJMAX)

  主要特點(diǎn)

   無反向恢復(fù)(QRR)——降低開關(guān)損耗,提高效率

   低正向壓降(VF)——減少傳導(dǎo)損耗

  溫度無關(guān)的開關(guān)特性——確保高溫下穩(wěn)定運(yùn)行

   高浪涌和雪崩能力——增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性

  典型應(yīng)用

  太陽能逆變器(PV)

  不間斷電源(UPS)

  工業(yè)電源

  2、 EliteSiC MOSFETs(碳化硅場效應(yīng)晶體管)

 EliteSiC MOSFETs(碳化硅場效應(yīng)晶體管)

  關(guān)鍵參數(shù)

  電壓等級:650V / 900V / 1200V / 1700V

  封裝類型:D2PAK-7(TO-263-7L HV)等

  主要特點(diǎn)

   超低柵極電荷(Qg)——減少驅(qū)動損耗

   低有效輸出電容(Coss)——提升開關(guān)速度

   100% UIL測試——確保器件一致性

  175°C高溫運(yùn)行能力——適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境

  典型應(yīng)用

  電動汽車(EV)充電樁

  服務(wù)器電源(PSU)

  電機(jī)驅(qū)動

  3、 EliteSiC Hybrid Modules(混合模塊)

EliteSiC Hybrid Modules(混合模塊)

  關(guān)鍵參數(shù)

  電壓等級:650V / 1000V / 1200V / 1700V

  模塊類型:

  T型NPC逆變器(Split NPC)

  I型NPC(1000V, 350A/450A IGBT + 1200V, 100A SiC Diode)

  3通道Boost(1000V, 150A IGBT)

  主要特點(diǎn)

    SiC二極管 + 快速開關(guān)IGBT——優(yōu)化系統(tǒng)效率

   低熱阻基板——增強(qiáng)散熱能力

   引腳兼容設(shè)計——便于升級替換

  典型應(yīng)用

  工業(yè)變頻器

  風(fēng)電變流器

  4、EliteSiC Full Modules(全SiC模塊)

EliteSiC Full Modules(全SiC模塊)

  關(guān)鍵參數(shù)

  電壓等級:900V / 1200V

  模塊類型:

  Q0 / Q1 Boost模塊

  F1 / F2模塊(集成電容,降低電壓震蕩)

  主要特點(diǎn)

   比溝槽MOSFET更低熱阻——提高散熱效率

   負(fù)柵極電壓驅(qū)動——簡化控制設(shè)計

   標(biāo)準(zhǔn)化引腳布局——兼容不同RDS(on)需求

  典型應(yīng)用

  儲能系統(tǒng)(ESS)

  軌道交通牽引系統(tǒng)

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換器模塊及碳化硅(SiC)產(chǎn)品,歡迎咨詢了解。

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