亚洲伊人情人综合网站丨国内精品视频在线丨中文日产幕无线码6区收藏丨国产一区二区av丨亚洲 欧美 清纯 在线 制服丨成 人 黄 色 视频 免费观看丨日本激情吻胸吃奶呻吟视频丨午夜尤物丨国产不卡久久精品影院丨亚洲五月综合缴情在线观看丨君岛美绪在线丨播放黄色一级片丨久久久久久久网站丨99国产小视频丨无码播放一区二区三区

Ampleon CLF3H0035-100寬帶射頻功率GaN HEMT晶體管 現貨

發布時間：2025-04-17 09:31:20     瀏覽：3513

　　Ampleon的CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100是兩款高性能的寬帶射頻功率氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)，適用于多種射頻功率應用。

Ampleon CLF3H0035-100寬帶射頻功率GaN HEMT晶體管 現貨

　　產品概述

　　型號：CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100。

　　功率：兩款晶體管均提供100 W的射頻功率。

　　頻率范圍：覆蓋從直流(DC)到3.5 GHz的寬帶頻率范圍，適用于多種通信和雷達系統。

　　應用場景：支持連續波(CW)和脈沖應用，適合高功率射頻信號的放大和傳輸。

　　特點與優勢

　　高功率輸出：在1 dB增益壓縮點的標稱輸出功率為100 W，能夠滿足高功率射頻應用的需求。

　　高效率：在100 W輸出功率下，漏極效率典型值為57%，這意味著在高功率輸出時仍能保持較低的能耗。

　　低熱阻：采用熱增強型封裝，能夠有效散熱，確保在高功率運行時的穩定性和可靠性。

　　高可靠性：具備出色的堅固性，能夠在復雜的環境條件下穩定工作。

　　寬帶操作：設計用于覆蓋從直流到3.5 GHz的頻率范圍，能夠滿足多種應用需求，如通信、雷達和測試設備等。

　　符合環保標準：符合RoHS標準，符合環保要求。

　　參數規格

參數符號條件最小值典型值/額定值最大值單位
頻率范圍frange-0-3500MHz
1 dB增益壓縮點的標稱輸出功率PL(1dB)--100-W
漏源電壓VDS--50-V
輸出功率PL--118-W
功率增益GpPL = 100 W1415-dB
漏極效率ηDPL = 100 W5257-%
輸入回波損耗RLinPL = 100 W-12-10-8dB

Ampleon是一家全球領先的射頻和功率半導體解決方案提供商，提供包括射頻功率放大器、收發器、射頻開關、驅動電路和功率控制器等在內的廣泛產品線，適用于4G LTE、5G NR基礎設施、廣播、工業等多個領域，深圳市立維創展科技有限公司優勢分銷Ampleon產品線，歡迎咨詢了解。

推薦資訊

  • Semelab D1008UK 80W射頻MOSFET 適用HF/VHF/UHF
    Semelab D1008UK 80W射頻MOSFET 適用HF/VHF/UHF 2025-11-26 09:28:58

    Semelab推出的D1008UK（TetraFET）是一款采用推挽架構的80W寬帶射頻功率MOSFET，覆蓋1MHz-500MHz頻段，具備13dB高增益和75%峰值效率（400MHz），其TO-270金屬陶瓷封裝配合1.0°C/W超低熱阻，可耐受20:1 VSWR失配，專為高頻通信（業余電臺/廣播發射機）、軍用雷達、工業射頻加熱及推挽放大器等高要求場景設計。

  • Wi2Wi(PDI)恒溫晶體振蕩器OCXO
    Wi2Wi(PDI)恒溫晶體振蕩器OCXO 2023-12-26 09:12:54

    　　Wi2Wi的PDI品牌烤箱控制晶體振蕩器 (OCXO) 可確保在最苛刻的情況下提供精確的頻率。具有超低相位噪聲、高振動容限、多種流行封裝和雙密封石英晶體。PDI品牌OCXO提供標準和定制頻率。Wi2Wi 提供從客戶原型打字需求到批量生產的快速樣品，并提供有競爭力的價格和準時交貨。

在線留言

在線留言